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SC-3GA-4
YIM
| Quantité: | |
|---|---|
Cellule solaire GaAs à triple jonction 32 % (40 cm × 80 cm)
Ce type de cellule est une cellule solaire à triple jonction GaInP2/GaAs/Ge sur substrat Ge (classe d'efficacité 32%).La cellule solaire a une surface active de 30 cm2.
L'ensemble de cellules solaires est équipé d'une diode de dérivation Si discrète, d'interconnecteurs et d'un verre de protection.
Panneau solaire GaAs à triple jonction
Caractéristiques
Le panneau solaire GaAs à triple jonction est constitué Panneaux solaires GaAs à triple jonction ou panneaux solaires d'une certaine manière d'assemblage électrique. Les caractéristiques sont une puissance de sortie élevée, une capacité anti-rayonnement élevée et une large gamme d'applications.
Applications
LEO, MEO, GEO et explorations du vaisseau spatial
Expérience de vol
satellites de la série SJ, satellites de la série GY.
Chaque produit, nous fournirons un rapport de test rigoureux.
Assemblage de cellules solaires GaAs à triple jonction 32 %
Ce type de cellule est un GaInP2/GaAs/Ge sur assemblage de cellules solaires triple jonction substrat Ge (classe d'efficacité 32%).L'ensemble de cellules solaires est équipé d'une diode de dérivation Si discrète, d'interconnecteurs et d'un verre de protection.
1. Données de conception et mécaniques
Matériel de base | GainP2/GaAs/Ge sur substrat Ge |
Revêtement AR | TiOX/Al2O3 |
Dimensions | (60,15±0,05)mm×(40,15±0,05)mm |
Zone de cellule | 24.00cm2 |
Lester | 2.025g |
Épaisseur | 0,161 mm |
Lamelle de verre | KFB 120 |
Épaisseur de lamelle | 120±20μm |
Interconnecteurs (3 × face avant/1 × diode) | AG |
Épaisseur de l'interconnexion | 17μm |
2. Paramètres électriques typiques (SCA)
COV moyen en circuit ouvert (mV) | 2650 |
Court-circuit moyen Jsc (mA/cm2) | 19.1 |
Tension @ Max.PuissanceVm (mV) | 2350 |
Courant @ Max.PuissanceJm (mA/cm2) | 18.45 |
Efficacité moyenne ηnu (1353W/m2) | 32% |
Facteur de remplissage moyen | 0.850 |
Norme：AM0, 1soleil, 1353W/m2, 25℃.
3. Dégradation du rayonnement ( Fluence 1MeV )
Paramètres | 1×1015e/cm2 |
Je/Je0 | 0.95 |
Vm/Vm0 | 0.88 |
Après-midi/après-midi0 | 0.84 |
4. Valeurs d'acceptation (SCA)
Tension VL | 2200mV |
Min.courant moyen IL min @ VL | 540mA |
Min.courant individuel IL ave @ VL | 520mA |
5. Protection contre les ombres (diode de dérivation discrète)
Vavant(620mA) | ≤1.0V |
Iinverse(4.0V) | ≤0.2mA |
6. Coefficients de température (20℃～65℃)
Paramètres | BOL | 1 MeV, 5 × 1014e/cm2 | 1 MeV, 1 × 1015e/cm2 | |
Jsc (μA/cm2/℃) | 11.0 | 10.0 | 13.0 | |
COV (mV/℃) | -5.9 | -6.1 | -6.3 | |
Jm (µA/cm2/℃) | 9.0 | 9.5 | 15.0 | |
Vm (mV/℃) | -6.0 | -6.2 | -6.5 |
7. Les valeurs de seuil
Absorptivité | ≤ 0,92 | |
Essai de traction (à 45°) | ≥0.83N/mm2 | |
Statut | Qualifié |
Cellule solaire GaAs à triple jonction 32 % (40 cm × 80 cm)
Ce type de cellule est une cellule solaire à triple jonction GaInP2/GaAs/Ge sur substrat Ge (classe d'efficacité 32%).La cellule solaire a une surface active de 30 cm2.
L'ensemble de cellules solaires est équipé d'une diode de dérivation Si discrète, d'interconnecteurs et d'un verre de protection.
Panneau solaire GaAs à triple jonction
Caractéristiques
Le panneau solaire GaAs à triple jonction est constitué Panneaux solaires GaAs à triple jonction ou panneaux solaires d'une certaine manière d'assemblage électrique. Les caractéristiques sont une puissance de sortie élevée, une capacité anti-rayonnement élevée et une large gamme d'applications.
Applications
LEO, MEO, GEO et explorations du vaisseau spatial
Expérience de vol
satellites de la série SJ, satellites de la série GY.
Chaque produit, nous fournirons un rapport de test rigoureux.
Assemblage de cellules solaires GaAs à triple jonction 32 %
Ce type de cellule est un GaInP2/GaAs/Ge sur assemblage de cellules solaires triple jonction substrat Ge (classe d'efficacité 32%).L'ensemble de cellules solaires est équipé d'une diode de dérivation Si discrète, d'interconnecteurs et d'un verre de protection.
1. Données de conception et mécaniques
Matériel de base | GainP2/GaAs/Ge sur substrat Ge |
Revêtement AR | TiOX/Al2O3 |
Dimensions | (60,15±0,05)mm×(40,15±0,05)mm |
Zone de cellule | 24.00cm2 |
Lester | 2.025g |
Épaisseur | 0,161 mm |
Lamelle de verre | KFB 120 |
Épaisseur de lamelle | 120±20μm |
Interconnecteurs (3 × face avant/1 × diode) | AG |
Épaisseur de l'interconnexion | 17μm |
2. Paramètres électriques typiques (SCA)
COV moyen en circuit ouvert (mV) | 2650 |
Court-circuit moyen Jsc (mA/cm2) | 19.1 |
Tension @ Max.PuissanceVm (mV) | 2350 |
Courant @ Max.PuissanceJm (mA/cm2) | 18.45 |
Efficacité moyenne ηnu (1353W/m2) | 32% |
Facteur de remplissage moyen | 0.850 |
Norme：AM0, 1soleil, 1353W/m2, 25℃.
3. Dégradation du rayonnement ( Fluence 1MeV )
Paramètres | 1×1015e/cm2 |
Je/Je0 | 0.95 |
Vm/Vm0 | 0.88 |
Après-midi/après-midi0 | 0.84 |
4. Valeurs d'acceptation (SCA)
Tension VL | 2200mV |
Min.courant moyen IL min @ VL | 540mA |
Min.courant individuel IL ave @ VL | 520mA |
5. Protection contre les ombres (diode de dérivation discrète)
Vavant(620mA) | ≤1.0V |
Iinverse(4.0V) | ≤0.2mA |
6. Coefficients de température (20℃～65℃)
Paramètres | BOL | 1 MeV, 5 × 1014e/cm2 | 1 MeV, 1 × 1015e/cm2 | |
Jsc (μA/cm2/℃) | 11.0 | 10.0 | 13.0 | |
COV (mV/℃) | -5.9 | -6.1 | -6.3 | |
Jm (µA/cm2/℃) | 9.0 | 9.5 | 15.0 | |
Vm (mV/℃) | -6.0 | -6.2 | -6.5 |
7. Les valeurs de seuil
Absorptivité | ≤ 0,92 | |
Essai de traction (à 45°) | ≥0.83N/mm2 | |
Statut | Qualifié |
