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YIM
| Quantité: | |
|---|---|
cellule solaire GaAs à triple jonction
La cellule solaire GaAs à triple jonction se compose d'une cellule inférieure en germanium (Ge), d'une cellule centrale en indium gallium arsenic (InGaAs) et d'une cellule supérieure en gallium indium phosphore (GaInP2) connectées en série, avec une structure de cellule n/p.
L'efficacité de conversion photoélectrique typique est de 30 % et les dimensions typiques sont de 144,3 mm x 68,5 mm x 0,24 mm.
Lamelle de verre
Le verre de protection est constitué d'un verre de protection résistant aux rayonnements avec un film de MgF2 plaqué de vapeur sur la surface, la largeur du défaut de bord du film de MgF2 dû à l'outillage ne dépasse pas 0,5 mm et la surface totale du défaut ne dépasse pas 5 % de la surface totale du verre de couverture.
Les dimensions typiques du verre de couverture sont de 144,45 mm x 68,65 mm x 0,12 mm.
Diodes de dérivation
Les diodes de dérivation utilisent des diodes au silicium.
En l'absence de lumière et avec un courant de court-circuit appliqué de 1,2 Isc, la tension à l'état passant de la diode au silicium est inférieure à 1,0 V.
En l'absence de lumière et avec une tension inverse de -4V appliquée, le courant de fuite inverse de la diode au silicium est inférieur à 10μA
Les dimensions typiques sont de 17,3 mm x 9,5 mm x 0,19 mm
Pièces interconnectées
Les pièces d'interconnexion sont des interconnexions plaquées argent avec une couche d'argent la plus externe, de 30 μm ± 5 μm d'épaisseur, dont l'argent est pur à au moins 99,95 %.
La pièce d'interconnexion a un anneau de décharge de traction qui est intact et non endommagé
Anneaux de détente des pièces d'interconnexion testés à la fatigue sans rupture.
La dimension typique est de 8,0 mm x 6,5 mm x 0,03 mm.
Lester
Le poids de la cellule laminée est : 13 g ± 1,5 g.
Matériaux de base | GainP2/GaAs/Ge sur substrat Ge |
couche d'oxyde | TiOX/Al2O3 |
taille | 144,45 mm × 68,65 mm |
Zone efficace | 80cm2 |
lester | 13.2±1.0g |
épaisseur | 0,40 ± 0,05 mm |
Plaque de recouvrement en verre | Couvercle en verre résistant aux irradiations, 120 ± 20 μm |
Bande d'interconnexion | KOVAR，35μm |
Tension en circuit ouvert Voc (mV) | 2780 |
Densité de courant de court-circuit Jsc (mA/cm2) | 17.0 |
Tension de point de fonctionnement optimale Vm (mV) | 2470 |
Meilleur courant de point de fonctionnement Jm (mA/cm2) | 16.3 |
Efficacité de conversion η (1353W/m2) | 30% |
cellule solaire GaAs à triple jonction
La cellule solaire GaAs à triple jonction se compose d'une cellule inférieure en germanium (Ge), d'une cellule centrale en indium gallium arsenic (InGaAs) et d'une cellule supérieure en gallium indium phosphore (GaInP2) connectées en série, avec une structure de cellule n/p.
L'efficacité de conversion photoélectrique typique est de 30 % et les dimensions typiques sont de 144,3 mm x 68,5 mm x 0,24 mm.
Lamelle de verre
Le verre de protection est constitué d'un verre de protection résistant aux rayonnements avec un film de MgF2 plaqué de vapeur sur la surface, la largeur du défaut de bord du film de MgF2 dû à l'outillage ne dépasse pas 0,5 mm et la surface totale du défaut ne dépasse pas 5 % de la surface totale du verre de couverture.
Les dimensions typiques du verre de couverture sont de 144,45 mm x 68,65 mm x 0,12 mm.
Diodes de dérivation
Les diodes de dérivation utilisent des diodes au silicium.
En l'absence de lumière et avec un courant de court-circuit appliqué de 1,2 Isc, la tension à l'état passant de la diode au silicium est inférieure à 1,0 V.
En l'absence de lumière et avec une tension inverse de -4V appliquée, le courant de fuite inverse de la diode au silicium est inférieur à 10μA
Les dimensions typiques sont de 17,3 mm x 9,5 mm x 0,19 mm
Pièces interconnectées
Les pièces d'interconnexion sont des interconnexions plaquées argent avec une couche d'argent la plus externe, de 30 μm ± 5 μm d'épaisseur, dont l'argent est pur à au moins 99,95 %.
La pièce d'interconnexion a un anneau de décharge de traction qui est intact et non endommagé
Anneaux de détente des pièces d'interconnexion testés à la fatigue sans rupture.
La dimension typique est de 8,0 mm x 6,5 mm x 0,03 mm.
Lester
Le poids de la cellule laminée est : 13 g ± 1,5 g.
Matériaux de base | GainP2/GaAs/Ge sur substrat Ge |
couche d'oxyde | TiOX/Al2O3 |
taille | 144,45 mm × 68,65 mm |
Zone efficace | 80cm2 |
lester | 13.2±1.0g |
épaisseur | 0,40 ± 0,05 mm |
Plaque de recouvrement en verre | Couvercle en verre résistant aux irradiations, 120 ± 20 μm |
Bande d'interconnexion | KOVAR，35μm |
Tension en circuit ouvert Voc (mV) | 2780 |
Densité de courant de court-circuit Jsc (mA/cm2) | 17.0 |
Tension de point de fonctionnement optimale Vm (mV) | 2470 |
Meilleur courant de point de fonctionnement Jm (mA/cm2) | 16.3 |
Efficacité de conversion η (1353W/m2) | 30% |
